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一种以缺陷为模板修饰单层二硒化钼的方法.pdfVIP

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  • 2023-06-24 发布于四川
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一种以缺陷为模板修饰单层二硒化钼的方法.pdf

    本发明涉及一种以线缺陷为模板通过Pt纳米团簇选择性图案化修饰二硒化钼的方法，将高定向热解石墨衬底进行除杂，将石墨衬底放入超高真空的分子束外延系统中，将衬底保持合适生长二硒化钼的温度，使用电子束蒸发源和克努森扩散炉分别将Mo和Se沉积到衬底上，控制好沉积束流比与沉积时间，进行二硒化钼单层生长。生长后保温除去未反应的原料并提高结晶质量。将样品冷却至室温附近后，使用电子束蒸发源对Pt进行沉积，控制好沉积时间。本方法成功制备了高线缺陷密度的二硒化钼单层晶体并通过电子束蒸发沉积Pt的方式实现了以二硒化钼本

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116288682 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202211179759.1 (22)申请日 2022.09.28 (71)申请人 天津理工大学 地址 300384

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