磷化铟基板、半导体外延晶片、磷化铟单晶锭的制造方法以及磷化铟基板的制造方法.pdfVIP

磷化铟基板、半导体外延晶片、磷化铟单晶锭的制造方法以及磷化铟基板的制造方法.pdf

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本发明提供一种抑制了凹形缺陷的产生的磷化铟基板、半导体外延晶片、磷化铟单晶锭的制造方法以及磷化铟基板的制造方法。一种磷化铟基板，其直径为100mm以下，在对至少一个表面利用S偏振光照射波长405nm的激光进行检查时，在表面，利用形貌通道检测出的凹形缺陷为0个。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116324047 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202180070903.5 (74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司

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