晶片、半导体装置及晶片的制造方法.pdfVIP

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2023-06-24 发布于四川
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晶片、半导体装置及晶片的制造方法.pdf

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本发明提供一种可提高生产率的晶片、半导体装置及晶片的制造方法。根据实施方式，晶片包含具有第1面的硅基板和设在第1面上的氮化物半导体层。所述硅基板包含在晶片的X射线图像中能够相互区别的多个第1区域。所述多个第1区域远离所述硅基板的外缘区域。所述多个第1区域中的一个包含沿着第1线方向的多个第1线状体。所述多个第1区域中的另一个包含沿着第2线方向的多个第2线状体。所述第2线方向与所述第1线方向交叉。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116314251 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202210897073.X H01L 29/207 (2006.01)