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集成电路制造技术原理与工艺 王蔚 习题答案 目录 第一单元 习题 2 第二单元 习题 4 第三单元 习题 12 第四单元 习题 16 第五单元 习题 22 shanren 第 一 单元习题 1. 以直拉法拉制掺硼硅锭，切割后获硅片，在晶锭顶端切下的硅片，硼浓度为 3×101?atoms/cm3。 当熔料的90%已拉出，剩下10%开始生长时，所对应的晶锭上的该 位置处切下的硅片，硼浓度是多少? 已知： CB=3×101?atoms/cm3;kg=0.35; 由 得： 硅熔料中硼的初始浓度为： C=CB/k=3×101?/0.35≈8.57×101?atoms/cm3; 由C,=kC?(1-X) 得： 剩下10%熔料时，此处晶锭的硼浓度为： C??=kgC2×0. 1B/=0.35×8.57×101?×0.1035- 1=1.34×101? 2. 硅熔料含0. 1%原子百分比的磷，假定溶液总是均匀的，计算当晶体拉出10%,50%, 90%时的掺杂浓度。 已知：硅晶体原子密度为：5×1022atoms/cm3, 含0.1%原子百分比的磷，熔料中磷浓度为： C,=5×1022×0. 1%=5×101°atoms/cm3;k,=0.8 由C,=kC?(1-X) 计算得： clo,=kpC×0.9?p1=0.8×5×101?×0.9?2=4.09×10°atoms/cm3 C?%,=0.8×5×101?×0.5?2=4.59×101?atoms/cm3 C°0%,=0.8×5×101?×0. 102=6.34×101?atoms/cm3 3. 比较硅单晶锭CZ 、MCZ 和 FZ 三种生长方法的优缺点? 答： CZ 法工艺成熟可拉制大直径硅锭，但受坩锅熔融带来的O 等杂质浓度高，存在一定杂 质分布，因此，相对于MCZ 和 FZ 法，生长的硅锭质量不高。当前仍是生产大直径硅锭的 主要方法。 MCZ 法是在CZ 技术基础上发展起来的，生长的单晶硅质量更好，能得到均匀、低氧 的大直径硅锭。但 MCZ 设备较CZ 设备复杂得多，造价也高得多，强磁场的存在使得生产 成本也大幅提高。 MCZ 法在生产高品质大直径硅锭上已成为主要方法。 FZ 法与CZ 、MCZ 法相比，去掉了坩埚，因此没有坩埚带来的污染，能拉制出更高纯 度、无氧的高阻硅，是制备高纯度，高品质硅锭，及硅锭提存的方法。但因存在熔融区因此 拉制硅锭的直径受限。 FZ 法硅锭的直径比CZ 、MCZ 法小得多。 4. 直拉硅单晶，晶锭生长过程中掺杂，需要考虑哪些因素会对硅锭杂质浓度及均匀性带 来影响? 答： 直拉法生长单晶时，通常采用液相掺杂方法，对硅锭杂质浓度及均匀性带来影响的因素 主要有：杂质分凝效应，杂质蒸发现象，所拉制晶锭的直径，坩锅内的温度及其分布。 5. 磁控直拉设备本质上是模仿空间微重力环境来制备单晶硅。为什么在空间微重力实验 室能生长出优质单晶。 答： 直拉生长单晶硅时，坩埚内熔体温度呈一定分布。熔体表面中心处温度最低，坩埚壁面 shanren 和底部温度最高。熔体的温度梯度带来密度梯度，坩埚壁面和底部熔体密度最低，表面中心 处熔体密度最高。地球重力场的存在使得坩埚上部密度高的熔体向下，而底部、壁面密度低 的熔体向上流动，形成自然对流。坩埚也就越来越大，熔体对流更加严重，进而形成强对流。 熔体的流动将坩埚表面融入熔体的氧不断带离坩埚表面，进入熔体内；而且熔体强对流也使 得单晶生长环境的稳定性变差，引起硅锭表面出现条纹，这有损晶体均匀性。如果在单晶炉 上附加一强磁场，高温下具有高电导特性的熔体硅的流动因载流子切割磁力线而产生洛仑兹 力，洛伦兹力与熔体运动方向及磁场方向相互垂直，磁力的存在相当于增强了熔体的粘性， 从而熔体的自然对流受阻。 在空间微重力实验室，地球重力场可以忽略，在坩锅内的熔体就不会因密度梯度形成自 然对流，因此能生长出优质单晶。 6. 硅气相外延工艺采用的衬底不是准确的晶向，通常偏离(100)或(111)等晶向一个小 角度，为什么? 答： 从硅气相外延工艺原理可知，硅外延生长的表面外延过程是外延剂在衬底表面被吸附后 分解出Si 原子，他迁移到达结点位置停留，之后被后续的Si 原子覆盖，该Si 原子成为外延 层中原子。因此衬底表面结点位置的存在是外延过程顺利进行的关键，如果外延衬底不是 准确的(100)或(111)晶面，而是偏离一个小角度，这在其表面就会有大量结点位置，所 以，硅气相外延工艺采用的衬底通常偏离准确的晶向一个小角度。 7. 外延层杂质的分布主要受哪几种因素影响? 外延温度，衬底杂质及其浓度，外延方法，外延设备等因素影响。 8. 异质外延对衬底和外延层有什么要求? 对