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一种提高碳化硅晶体产率的装置.pdfVIP

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  • 2023-06-25 发布于四川
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一种提高碳化硅晶体产率的装置.pdf

    本发明公开了一种提高碳化硅晶体产率的装置，属于SiC半导体晶体生长领域，一种提高碳化硅晶体产率的装置，包括上侧呈开口设置的坩埚主体和装配在坩埚主体上侧的坩埚盖，坩埚主体内部的底部设置有下原料区，坩埚主体内部的中间位置设置有可拆卸的上原料区，坩埚主体的上侧且位于坩埚盖的下侧设置有可拆卸的上石墨板，上石墨板的下侧设置有位于坩埚主体内部的上籽晶，坩埚主体的内部且位于上原料区和下原料区之间的位置设置有可拆卸的下石墨板，下石墨板的上侧装配有中籽晶，下石墨板的下侧装配有下籽晶，它可以实现，在不同位置上同时向

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116288675 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202310256870.4 (22)申请日 2023.03.16 (71)申请人 无锡弘元半导体材料科技有限公司 地

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