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本发明涉及一种适用于存算一体的SRAM存储单元，本发明适用于存算一体的SRAM存储单元包括PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M5、PMOS管M8、PMOS管M9、PMOS管M10、PMOS管M13、NMOS管M3、NMOS管M4、NMOS管M6、NMOS管M7、NMOS管M11、NMOS管M12；NMOS管M7和PMOS管M8为控制管；PMOS管M13的控制端连接字线反向信号WWLC，源端连接电源VDD，PMOS管M1和PMOS管M9的源端连接PMOS管M13的漏端。本发明适用于存算一体
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116312688 A
(43)申请公布日 2023.06.23
(21)申请号 202310060635.X G11C 11/419 (2006.01)
(22)申请日 2023.01
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