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一种基于二维三硒化铌纳米带的阻变式随机存储器件及其制备方法和应用.pdfVIP

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  • 2023-06-25 发布于四川
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一种基于二维三硒化铌纳米带的阻变式随机存储器件及其制备方法和应用.pdf

    本发明涉及存储器件技术领域，尤其涉及一种基于二维三硒化铌纳米带的阻变式随机存储器件及其制备方法和应用。本发明提供的制备方法，包括：在硅衬底的表面制备二维三硒化铌纳米带，得到表面有二维三硒化铌纳米带的硅衬底；在所述表面含有二维三硒化铌纳米带的硅衬底的表面涂覆光刻胶后，在所述二维三硒化铌纳米带的两端分别刻蚀出电极位点，制备电极，去胶后，进行锂化，得到所述基于二维三硒化铌纳米带的阻变式随机存储器件。所述制备方法制备得到的二维三硒化铌纳米带的阻变式随机存储器件具有良好的高低阻切换行为和优良的保持特性。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116322290 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202310257072.3 (22)申请日 2023.03.17 (71)申请人 哈尔滨工业大学（

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