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一种半导体结构及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-06-25 发布于四川
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一种半导体结构及其制造方法.pdf

    本公开实施例公开了一种半导体结构及其制造方法，制造方法包括：提供衬底，衬底包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；从衬底的第一表面向内部刻蚀，形成第一初始沟槽；在第一初始沟槽的下部填充第一阻挡层；在第一初始沟槽的上部填充第一介质层；刻蚀衬底和第一介质层，在第一初始沟槽的顶部位置处形成第二沟槽，位于第二沟槽下方的部分第一初始沟槽构成第一沟槽，第一沟槽内保留有部分第一介质层；在第二沟槽内形成第二阻挡层；从衬底的第二表面开始，对衬底执行第一减薄工艺至暴露第一阻挡层；从暴露的第一阻挡层开始，对衬底执行第

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116313768 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202310143996.0 (22)申请日 2023.02.14 (71)申请人 长鑫存储技术有限公司 地址 23

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