屏蔽栅沟槽型MOS器件的制造方法.pdfVIP

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2023-06-25 发布于四川
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屏蔽栅沟槽型MOS器件的制造方法.pdf

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本发明提供了一种屏蔽栅沟槽型MOS器件的制造方法，栅间介质层的形成过程包括：在沟槽中形成栅间介质材料层，所述栅间介质材料层位于屏蔽栅结构上，所述栅间介质材料层具有开口；在所述开口中填充可流动涂层；以及，刻蚀所述沟槽中的所述栅间介质材料层以及所述可流动涂层以形成所述栅间介质层。通过在沟槽中形成栅间介质材料层时，所述栅间介质材料层中留有开口；接着再用可流动涂层填充所述开口，由此，再通过刻蚀所述沟槽中的所述栅间介质材料层以及所述可流动涂层以形成所述栅间介质层时，能够得到厚度均匀、符合要求的栅间介质层，

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116313803 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202310117468.8 (22)申请日 2023.01.17 (71)申请人绍兴中芯集成电路制造股份有限公