容隔离器的制备方法、容隔离器及其应用.pdfVIP

下载本文档

0
0
约1.92万字
约 18页
2023-06-26 发布于四川
举报
版权申诉

容隔离器的制备方法、容隔离器及其应用.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本申请实施例涉及一种容隔离器的制备方法、容隔离器及其应用；其中，容隔离器的制备方法包括：在衬底上形成依次层叠设置的第一电极板、氧化硅电介质层和氮化硅电介质层；在氮化硅电介质层中形成应力释放槽；在氮化硅电介质层上形成第二电极板；本申请各实施例通过在氮化硅电介质层中形成应力释放槽，从而有利于在后续的测试中或者使用中释放电应力，避免氧化硅电介质层和氮化硅电介质层的界面处发生局部特性变化，进而避免容隔离器出现裂纹，提高了容隔离器的工作可靠性。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116322295 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202310329566.8 (22)申请日 2023.03.29 (71)申请人绍兴中芯集成电路制造股份有限公