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本发明公开了一种集成神经形态以及可重构逻辑存算功能的人工神经元晶体管及其制备方法，顺序地在亲水处理后的Si衬底上生长电解质层、超薄铁电层、聚合物介电层和有机半导体层，然后利用非侵入性金膜转移工艺将金膜转移到电解质层上作为栅极，同时转移有机半导体层上作为源极和漏极，完成人工神经元晶体管的制备。本发明的人工神经元晶体管利用铁电偶极子与电解质离子的界面耦合以及多平面栅的器件结构，可以完成多种神经形态的计算并适用于人工神经网络的搭建以实现目标的识别，同时在多栅极的有效调控下能够在单一器件中完成与逻辑和或
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116322065 A
(43)申请公布日 2023.06.23
(21)申请号 202310288477.3
(22)申请日 2023.03.23
(71)申请人 南京大学
地址 210000
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