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本发明公开了一种多晶半导体晶棒生产热熔装置,涉及晶棒生产装置领域,包括处理箱,所述处理箱的内部安装有加热器。本发明所述的一种多晶半导体晶棒生产热熔装置,通过设置内坩埚、外坩埚和孔槽,将需要的原料放置在外坩埚和内坩埚之间,由于外坩埚的底部设置为类似球状,因此当原料放置在外坩埚的内部时,原料就会因为重力的原因全部堆积在外坩埚的底部,此时就能够启动加热器,加热器就能够将固体的原料变成液体的原料,液体原料不断的上升,就会慢慢穿过内坩埚的底部,同时就能够进行晶棒的拉伸工作,此时内部的原料减少,就能够同时向
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116288704 A
(43)申请公布日 2023.06.23
(21)申请号 202310501788.3
(22)申请日 2023.05.06
(71)申请人 无锡珂特芯科技有限公司
地址 2
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