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本发明涉及一种碳化硅外延生长的控制方法，包括将衬底置于封闭腔室，通入碳源和硅源，在所述衬底表面生长外延层，定义所述碳源的流量初始值为asccm，结束值为bsccm；所述硅源的流量初始值为a＇sccm，结束值为b＇sccm，当所述碳源的流量为bsccm，并且所述硅源的流量为b＇sccm时开始所述外延层的生长；则在Ts内分k段，将所述碳源的流量由asccm变化至bsccm，同时在Ts内分k＇段将所述硅源的流量由a＇sccm变化至b＇sccm，所述碳源和所述硅源的流量变化使用分段式控制法，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113564710 B
(45)授权公告日 2022.08.23
(21)申请号 202110813657.X C30B 25/16 (2006.01)
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