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逆导型IGBT器件的背面栅结构及其加工方法.pdfVIP

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  • 2023-06-26 发布于四川
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逆导型IGBT器件的背面栅结构及其加工方法.pdf

    本发明公开了一种逆导型IGBT器件的背面栅结构及其加工方法，涉及半导体芯片技术领域，所述的背面为IGBT器件的集电极所在的区域相对于衬底所在的方向，所述的背面栅结构包括衬底、集电极和互连材料，所述衬底内设有栅材料、背面P区和背面N区，所述衬底、集电极和互连材料两两之间均设有绝缘材料，且所述集电极通过设于绝缘材料上的第一接触孔分别与所述背面P区和背面N区连接，所述栅材料通过设于绝缘材料上的第二接触孔与互连材料连接，所述互连材料通过设于绝缘材料上的第三接触孔与衬底连接；本发明解决了普通逆导型IGBT

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116314309 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202310584234.4 (22)申请日 2023.05.23 (71)申请人 四川奥库科技有限

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