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本发明公开了一种沟槽型MOSFET器件的制造方法，属于半导体器件技术领域。N型半导体基底上形成低浓度N‑外延层；在外延层上形成P型区；P型区之上是源区，贯穿源区至P型区的内部形成沟槽，沟槽以及底面不到达外延层；在沟槽底面形成N型区，在沟槽侧壁以及沟槽底表面上生长绝缘薄膜，绝缘薄膜上是多晶硅膜制成的栅电极，栅电极上是层间绝缘膜；在源极区域上形成源电极；在基底的背面生长金属形成漏极电极；栅电极与栅极端子TG电连接，源电极与源极端子TS电连接，漏电极与漏极端子TD电连接。当器件在工作时从源区至P区电子
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116314335 A
(43)申请公布日 2023.06.23
(21)申请号 202310359924.X H01L 29/423 (2006.01)
(22)申请日 2023.04
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