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本申请提供了一种LED芯片及其制备方法,该LED芯片包括:N电极、N型半导体层、有源层、不导电层、P型半导体层和P电极;不导电层包括具有第一空隙的第一不导电层和第二不导电层,P型半导体层覆盖第一空隙以及不导电层,P电极包括具有第二空隙的第一P电极和第二P电极,第二空隙对应第一空隙。该LED芯片工作时,电流由P电极输入,经第一空隙中的P型半导体层流向有源层,向下传输,光线依次经第一空隙和第二空隙出射,第一空隙对应出光区域,使得该LED芯片的发光区域与出光区域高度重合,改善了光线的出射路径,提高发光
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116314512 A
(43)申请公布日 2023.06.23
(21)申请号 202310393190.7
(22)申请日 2023.04.11
(71)申请人 扬州乾照光电有限公司
地址 22
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