一种复合二极管及其制备方法、芯片.pdfVIP

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2023-06-26 发布于四川
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一种复合二极管及其制备方法、芯片.pdf

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本申请属于半导体技术领域，提供了一种复合二极管及其制备方法、芯片，通过在N型硅衬底的第一预设区域形成缓冲层、GaN层和AlGaN层，在N型硅衬底的第二预设区域按预设间隔形成多个P型注入区，得到由多个所述P型注入区与所述N型硅衬底形成的多个并联的硅基二极管，使得电流流经该硅基二极管时释放的热量可以与流经缓冲层、GaN层和AlGaN层时吸收的热量相互抵消，进而使得形成的器件(复合二极管)在工作状态下可以保持恒温，解决了二极管正向导通的压降随温度漂移的问题，提高了器件的稳定性，拓展了二极管器件的应用场

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116314348 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202310326877.9 (22)申请日 2023.03.30 (71)申请人天狼芯半导体（成都）有限公司地址