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微电子器件课件带标注.pdfVIP

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  • 2023-06-26 发布于北京
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微电子器件课件带标注.pdf

    4.2 MOSFET 的阈电压 定性去理解这个推导 过程 阈电压：使栅下的硅表面处开始发生强反型时的栅电压称 为阈电压 （或开启电压），记为V 。 T 强反型：当硅表面处的少子浓度达到或超过体内的平衡多子 浓度时，称为表面发生了强反型。 ID 沟道 V GS 0 V

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