多晶硅基础知识点.pdfVIP

宠辱不惊，看庭前花开花落；去留无意，望天上云卷云舒。——《洪应明》 1. 块状硅多晶具有无规则的形状和随机尺寸分布，其线性尺寸最小为 （6mm）最 大为 (100mm). 2. 探针绝缘性，一探针（包括连接弹簧和外部引线）与任何其他探针或装置任 9 一部分之间绝缘电阻大于（10 Ω）。 3. 对于 P 型单晶，在（6）倍熔区处读取电阻率值，该值即为样品的基硼电阻率 值。 4. 对于 N 型单晶，在（8）倍熔区处读取电阻率值，该值即为样品的基磷电阻率 值。 5. 热探笔上所用的电阻丝的功率一般只需（ 10～15W）. 6. 冷热探笔法一般适用于室温电阻率在（ 1000Ω.Cm）以下的硅单晶。 7. 整流法一般适用于室温电阻率在（ 1～1000Ω.Cm）的硅单晶。 8. 单晶在测试过程中应保证环境温度（23±2℃），温度（≤65%），（电磁屏蔽， 无强光照射）。 -1 -6 9. 四探针恒流源的光流范围为 (10 ～10 A),稳定度优于（±0.05%）。 四、简答题 1.国标中太阳能级与电子级产品等级的划分 基磷电阻率 基硼电阻率 N 型少数载流子寿命 （Ω.cm ） （Ω.cm ） （μs ） 国标电子级一级 ≥500 ≥3000 ≥500 国标电子级二级 ≥300 ≥2000 ≥300 国标电子级三级 ≥200 ≥1000 ≥100 太阳能级一级 ≥100 ≥500 ≥100 太阳能级二级 ≥40 ≥200 ≥50 太阳能级三级 ≥20 ≥100 ≥30 2. 物理性能检测中样品制备的事故判断处理及预防 1 / 5 志不强者智不达，言不信者行不果。——墨翟 百学须先立志。——朱熹 1.为避免机械对人造成伤害，上班前，按规定穿戴好劳保用品，使用酸碱时， 穿戴好防护用品，在通风良好的条件下操作。 2.若发现机器电机转动声音异常，应立即停止进行检查，正常后即可投入使用。 3.若酸碱液溅在皮肤上，立即用大量清水冲洗。 4.使用耐酸手套前要检查是否完好。 5.钻取样品时，若出现松动，应立即停机，紧固后方可进行加工，手动进刀时， 一般按照均匀进给的原则进行，以免用力过猛造成事故。 3. 物理性能检测中区熔制备硅单晶的控制要点 1.在装炉时，原料棒及籽晶要做到安放平整、对中、稳定可靠。 2.在对磷检炉操作过程中，通入氩气时要控制号氩气的阀门 ，流量由小到大，逐 步接近工艺规定值。 3.熔接时，要选择合适的功率 ，升温不能过急 ，注意熔区在感应线圈中的位置是 否得当。 4.初始拉速不能由零突越至拉制速度 ，应缓慢增大。 5.选择适当的供料速度 ，确保熔区体积不变 ，熔区稍微饱满为好。 6.在单晶生长过程中，要控制好硅熔区，避免熔区流垮 ，同时尽力保持拉制棒材 直径的均匀性。 7.在进行收尾工作时，控制好速度 ，不能过快 ，以免产生位错。