一种窄线宽的半导体器件及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-26 发布于四川
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一种窄线宽的半导体器件及其制备方法.pdf

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一种窄线宽的半导体器件及其制备方法，其中，窄线宽的半导体器件包括：衬底层；位于所述衬底层上的增益结构；位于部分所述增益结构背向所述衬底层一侧的线宽调制层；所述线宽调制层包括：透射单元，所述透射单元包括第一周期复合膜、以及位于所述第一周期复合膜背向所述增益结构一侧表面的第二周期复合膜；位于所述透射单元背向所述增益结构一侧的缺陷层；位于所述缺陷层背向所述增益结构一侧的第三周期复合膜；所述第二周期复合膜、缺陷层和所述第三周期复合膜形成谐振腔。所述窄线宽的半导体器件出射的光的线宽有效的变窄、且结构简单、

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113594852 B (45)授权公告日 2021.12.14 (21)申请号 202111147537.7 (74)专利代理机构北京三聚阳光知识产权代理