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本公开提供了提高电极粘连质量的红光二极管芯片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。p焊点所连通的一次p电极位于氧化硅键合层上，且一次p电极远离衬底的表面与氧化硅键合层远离衬底的表面齐平，绝缘的氧化硅键合层本身支撑外延结构以及一次p电极。p电极与氧化硅键合层上的外延结构可以保持较为完整的状态，不易损坏。再增加与一次p电极连通的p焊点，与一次n电极连通的n焊点，金属材料构成的电极与焊点具有较好的抵抗应力的能力且难以被破坏，保证外延结构与电极、焊点之间的稳定连接，提高电极粘连质量以提高得到的红光二极管
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113594322 B
(45)授权公告日 2022.03.18
(21)申请号 202111158551.7 H01L 33/00 (2010.01)
(22)申请日
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