- 1
- 0
- 约1.51万字
- 约 15页
- 2023-06-26 发布于四川
- 举报
本发明涉及一种新型宽禁带半导体器件的电路应用,包含桥式整流电路和浪涌抑制电路。该桥式整流电路采用四个第三代宽禁带半导体器件替代传统的四个硅基二极管,其中两个器件共源极连接,两个器件共漏极连接。该电路利用了第三代宽禁带半导体器件导通电阻小、器件尺寸小的特点,同时利用了该型器件对驱动能力要求低的特点,共漏极器件采用交流输入直接驱动的解决方案,并且通过桥式驱动电路使正负半周自动完成转换。浪涌抑制电路则是通过共漏极器件延迟导通,直接将浪涌抑制电阻短路。最终电源输入侧的整流工作损耗下降至一半以下,尺寸减小
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116317637 A
(43)申请公布日 2023.06.23
(21)申请号 202310366501.0
(22)申请日 2023.04.07
(71)申请人 中天宽带技术有限公司
地址 22
原创力文档

文档评论(0)