一种超结结构的氧化镓功率晶体管及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-26 发布于四川
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一种超结结构的氧化镓功率晶体管及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种超结结构的氧化镓功率晶体管及其制备方法，针对现有技术中如何解决器件反向耐压和导通电阻之间的矛盾提出本方案。主要特点在氧化镓漂移层上端面铺设超结P型掺杂层，使得超结P型掺杂层与氧化镓漂移层构成超结结构。优点在于，通过在氧化镓功率晶体管引入p型氧化物半导体形成异质pn结的超结结构，利用超结的耗尽作用改善关态时器件漂移区的电场分布，从而实现漂移区的全耗尽，大幅度提升器件反向耐压；另一方面，可以通过比例的增加氧化镓漂移层和超结P型掺杂层的掺杂浓度，在保持高反向耐压的同时显著降低器件导通电

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113594252 B (45)授权公告日 2022.04.15 (21)申请号 202110858315.X H01L 29/808 (2006.01)