一种三轴磁通门传感器.pdfVIP

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本发明属于设备技术领域,尤其涉及三轴磁通门传感器包括硅立方基座和三个微机电系统单轴磁通门传感器芯片;微机电系统单轴磁通门传感器芯片分别位于所示硅立方基座的共顶点正交三平面上,并通过硅‑玻璃键合技术键合到硅立方基座表面,微机电系统单轴磁通门传感器芯片的磁敏感方向分别是沿正交的三个方向探测磁场的x、y、z三个分量值。通过硅‑玻璃键合技术在硅立方体上键合固定微机电系统单轴磁通门传感器芯片,与传统三轴磁通门传感器使用三维骨架作为支撑粘贴磁芯然后缠绕铜线相比,不仅大大缩短了三轴磁通门传感器的尺寸和制造周期

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116299086 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202310349719.5 (22)申请日 2023.04.04 (71)申请人 广西电网有限责任公司电力科学研

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