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本发明提供一种封装转接板及其制备方法，该方法包括：提供掺杂的半导体晶圆；自半导体晶圆的第一表面沿其厚度方向刻蚀形成至少一个环形凹槽，环形凹槽中限定出电连接柱；采用绝缘材料层填充满环形凹槽；于半导体晶圆的第一表面形成第一重新布线层；自半导体晶圆的第二表面减薄半导体晶圆直至露出环形凹槽；于半导体晶圆的第二表面形成第二重新布线层。以绝缘材料填充物包围掺杂的低阻半导体取代金属柱作为转接板的电连接线，避免了钝化层、阻挡层、导电层及金属层的填孔沉积以及后续对表面金属层、阻挡层及钝化层的CMP，在保证形成的电
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116313829 A
(43)申请公布日 2023.06.23
(21)申请号 202310314051.0
(22)申请日 2023.03.28
(71)申请人 中国科学院上海微系统与信息技术
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