溢出式凸块封装结构及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-26 发布于四川
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溢出式凸块封装结构及其制备方法.pdf

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本发明的实施例提供了一种溢出式凸块封装结构及其制备方法，涉及半导体封装技术领域，该溢出式凸块封装结构包括基底芯片、布线组合层、金属凸块、第一介质层、导电胶膜层和第二介质层，第一介质层包覆在金属凸块周围，能够起到保护金属凸块免受水汽、离子污染、辐射或其他不利的环境，对金属凸块起到缓冲保护的作用。通过设置导电胶膜层，在实际热压焊时，导电胶膜层能够起到缓冲作用，避免应力影响导致的UBM以及RDL布线隐裂的问题，提升了器件的可靠性。并且导电胶膜层在受到压力后挤压至凹槽开口内，通过热压焊实现焊接，由于凹槽

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113594122 B (45)授权公告日 2021.12.21 (21)申请号 202111132604.8 H01L 21/60 (2006.01)