一种用于单晶硅或准单晶硅表面正金字塔湿法制绒方法.pdfVIP

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2023-06-26 发布于四川
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一种用于单晶硅或准单晶硅表面正金字塔湿法制绒方法.pdf

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本发明的目的在于提供一种用于单晶硅或准单晶硅表面正金字塔湿法制绒方法。该方法通过金属离子参与化学反应，溶液成分从氢氟酸改变为氟化铵溶液，制备正金字塔结构的同时降低成本且安全性大幅提高，降低工业安全事故的发生，腐蚀的硅片表面无金属沉积，所腐蚀的微纳米正金字塔结构宏观均匀，通过改变不同的化学成分浓度可以对尺寸的大小进行调控，正金字塔结构微观形貌表面光滑、缺陷少，因此在太阳能电池等领域具有广泛的应用前景，该方法同样适用于准单晶硅，既可以降低产业链硅片成本，又可以在电池端增加光电转换效率。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116288736 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202310326700.9 (22)申请日 2023.03.29 (71)申请人北京师范大学珠海