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本申请公开了一种基于切割区域温场的过程控制模型的构建方法及晶体棒过程控制切割方法,属于晶体切割技术领域。该构建方法采集多个单片的面型数据、温场数据以及加工数据构成第一数据集合;并以面型数据作为条件,从第一数据集合中筛选单个切割晶片的期待温场数据,并构建单个切割晶片的参考加工数据;从而形成基于期待温场数据与待产出切割晶片的实时监测温场数据的比对,来分析和预判待产出切割晶片面型情况,并基于参考加工数据作为加工数据调整参照的过程控制模型。该过程控制模型能够建立切割晶片面型与温场、加工数据之间的模型关系
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116300762 A
(43)申请公布日 2023.06.23
(21)申请号 202310332516.5
(22)申请日 2023.03.30
(71)申请人 上海天岳半导体材料有限公司
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