具有双极性AlN模板层的深紫外发光二极管的外延片.pdfVIP

下载本文档

0
0
约1.93万字
约 16页
2023-06-26 发布于四川
举报
版权申诉

具有双极性AlN模板层的深紫外发光二极管的外延片.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本公开提供了一种具有双极性AlN模板层的深紫外发光二极管的外延片，属于光电子制造技术领域。该外延片包括衬底和依次形成在所述衬底上AlN模板层、n型AlGaN层、多量子阱层和p型层；所述AlN模板层远离所述衬底的表面具有多个第一极性区域和多个第二极性区域，所述第一极性区域和所述第二极性区域沿同一方向交替分布，所述第一极性区域呈铝极性，所述第二极性区域呈氮极性。本公开实施例能够促进载流子的辐射复合，极大地提升了深紫外发光二极管的发光效率。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113594320 B (45)授权公告日 2022.08.12 (21)申请号 202110654853.7 H01L 33/00 (2010.01) (22)申请日 2021.06