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- 2023-06-26 发布于四川
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本发明涉及半导体封装技术领域,公开了一种引线键合方法,包括在引线键合之前,采用OSP工艺在包括键合点在内的覆盖区域形成覆盖膜;在引线键合时,穿透覆盖膜将引线与键合点连接。本申请通过OSP工艺形成保护膜而省去需要额外在覆盖区域镀金、镀银或镀镍的流程工艺,形成的覆盖膜同样可以防氧化的效果。同时在引线键合时直接穿透覆盖膜而不用再需要充入保护气体,达到同样防腐蚀的效果,进一步减少了工艺流程,操作更简单方便,操作性更强,简化引线键合工艺,降低工艺难度,极大降低了生产成本。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116313856 A
(43)申请公布日 2023.06.23
(21)申请号 202310296416.1
(22)申请日 2023.03.23
(71)申请人 重庆中舜微电子有限公司
地址 4
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