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2023-06-26 发布于四川
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本发明提供一种IGBT器件及其制作方法，IGBT器件包括：衬底，该衬底包括相对的第一主面及第二主面，第一主面形成有IGBT器件的正面结构，IGBT器件包括有源区、过渡区及终端区；氧离子缺陷层，形成于过渡区及终端区的第二主面内；集电极区，形成于衬底的第二主面；氢离子掺杂区，形成于衬底的第二主面内，氧离子缺陷层位于氢离子掺杂区内，其中，氧离子缺陷层的氧离子作为氢离子的吸附体从而增加氢离子掺杂区内的氢离子的掺杂浓度。本发明在IGBT器件导通时，降低过渡区和终端区的发射效率，同时在IGBT器件关断时，提

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113571415 B (45)授权公告日 2022.01.11 (21)申请号 202111104116.6 H01L 29/739 (2006.01)

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