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一种衬底结构及半导体器件，涉及半导体技术领域。该衬底结构应用于半导体器件，其包括衬底，衬底的上表面形成有第一注入掺杂区，第一注入掺杂区的注入深度小于衬底的厚度，第一注入掺杂区在衬底上的正投影面积小于衬底的面积，且第一注入掺杂区位于半导体器件的有源区。该衬底结构能够降低电流崩塌效应，且能够保证衬底的高绝缘性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113571572 B
(45)授权公告日 2022.05.31
(21)申请号 202111110198.5 H01L 29/778 (2006.01)
(22)申请日 2021.0
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