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本发明公开基于泵浦探测拉曼光谱的半导体导热系数测试方法和装置。该装置包括泵浦源激发和探测子系统、泵浦激光光斑调节子系统、样品与参考平面的温度控制子系统、拉曼激发与收集子系统、光谱测量子系统、光学元件切换控制部件以及计算机中控。该方法使用上述装置进行激发光反射率和泵浦‑探测拉曼光谱测量，能够准确获取泵浦加热导致的半导体温度变化，从而测量出导热系数。本发明具有便捷、无损、非接触等优点，非常适用于微小尺寸光电材料热学性质检测。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116297399 A
(43)申请公布日 2023.06.23
(21)申请号 202310284067.1
(22)申请日 2023.03.22
(71)申请人 中国科学院上海技术物理研究所
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