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一种背面SE结构制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-26 发布于四川
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一种背面SE结构制备方法.pdf

    本申请公开了一种背面SE结构制备方法，属于太阳能电池领域，该方法包括：对衬底的背面的多晶硅层进行扩散，使杂质源中的杂质进入多晶硅层形成多晶硅掺杂层；进行激光辐照的同时通入氧气，在印刷电极栅线的区域将杂质推进多晶硅掺杂层形成重掺杂区域，并在推进杂质的同时在重掺杂区域背离衬底的表面形成氧化层；多晶硅掺杂层中未被推进杂质的区域为浅掺杂区域；在重掺杂区域形成氧化层后，采用腐蚀溶液去除衬底的正面绕镀的多晶硅层和杂质源；在去除绕镀的多晶硅层和杂质源后，在衬底的背面形成SE结构。本申请可以保护背面选择性掺杂区

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116314471 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202310425114.X (22)申请日 2023.04.17 (71)申请人 滁州捷泰新能源科技有限公司 地址

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