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本发明公开了基于超材料表面的全介质太赫兹传感器,属于传感器制造技术领域,该传感器包括敏感元件以及与其相连接的热敏电路,所述敏感元件由掺杂导电材料的圆柱半导体构成,用以改变圆柱半导体的电导率,进而可以吸收太赫兹波段的电磁波;本发明基于超材料表面的全介质太赫兹传感器,传感器的敏感元件所用介质为掺杂的半导体,半导体低产生的热量也很低,因而对周围器件产生的影响很低,并且其结构简单,制作方便,具有较高的灵敏度。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113624349 B
(45)授权公告日 2022.06.28
(21)申请号 202110940220.2 (56)对比文件
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