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本发明公开了晶体管及制作方法。所述晶体管包括：基底和设置在所述基底上方的低维材料层；多个侧墙，所述侧墙设置在所述低维材料层远离所述基底的一侧，且多个所述侧墙间隔设置；源极和漏极，所述源极和所述漏极设置在所述低维材料层远离所述基底的一侧；栅极结构，所述栅极结构设置在所述低维材料层远离所述基底的一侧，所述栅极结构位于所述源极和所述漏极之间，所述栅极结构、所述源极和所述漏极均被所述侧墙间隔开，且所述栅极结构、所述源极和所述漏极均与所述侧墙相接触。由此，该晶体管具有综合性能优异、工艺兼容性高、器件均一性
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113644111 B
(45)授权公告日 2022.07.15
(21)申请号 202010393412.1 H01L 29/10 (2006.01)
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