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- 2023-06-28 发布于四川
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本发明提供了一种光刻方法和半导体器件的制造方法，先通过光刻胶涂覆和化学的边缘光刻胶去除工艺来形成化学去边的第一光刻胶层，再以化学去边后的第一光刻胶层为掩膜刻蚀去除待刻蚀层的边缘，之后去除第一光刻胶层且重新形成第二光刻胶层，且第二光刻胶层在经过曝光和显影后能够暴露出待刻蚀层的边缘侧壁以及待刻蚀层的边缘外围的衬底表面，由此晶圆边缘上多余的光刻胶能被完全去除，避免了光刻工艺在晶圆边缘上产生光刻胶残留的问题，由此，在后续刻蚀待刻蚀层之后在晶圆边缘上不会产生因光刻胶残留而导致的刻蚀残留，进而保证所制造的半
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113658854 B
(45)授权公告日 2022.01.28
(21)申请号 202111224067.X H01L 21/3213 (2006.01)
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