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- 2023-06-28 发布于四川
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本发明公开了一种基于半导体增益的低阈值Tamm态等离子激光器，该激光器由衬底，布拉格反射镜(DBRs)，有源增益层，金属层和金属圆柱阵列组成。在性能上与传统的激光器相比，本发明的激光器谐振腔具有超窄线宽，进而使得Q值很高，阈值很低。在制备上，在实际的器件制备中用银层代替了传统的上层DBR，减少了激光器的体积。且本发明采用半导体增益材料替代了传统的增益，大大减小了制备工艺的复杂性，同时极大节约了激光器的制作成本，展示出了巨大的应用前景。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113659430 B
(45)授权公告日 2023.04.11
(21)申请号 202110820386.0 H01S 5/30 (2006.01)
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