具有源漏区上用于改善接触电阻的掺杂本征锗盖的晶体管.pdfVIP

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2023-06-28 发布于四川
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具有源漏区上用于改善接触电阻的掺杂本征锗盖的晶体管.pdf

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一种集成电路（IC）结构、IC器件、IC器件组装件及其形成方法。IC结构包括在衬底上的晶体管器件，晶体管器件包括：包含金属的栅结构，该栅结构在沟道结构上；位于栅结构的第一侧的第一沟槽中的源结构；位于栅结构的第二侧的第二沟槽中的漏结构；在源结构和漏结构中的各个结构上的盖层，盖层包含与源结构或漏结构的对应结构的半导体材料同族的半导体材料，其中，盖层中的p‑型掺杂剂的同位素代表盖层的p‑型同位素含量的至少约95%的原子百分比；以及耦合到源结构和漏结构中的相应结构的金属接触结构。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116344547 A (43)申请公布日 2023.06.27 (21)申请号 202211472472.8 H01L 29/45 (2006.01)