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形成至硅锗(SiGe)的钛触点包括形成硅化钛层，其中通过在升高的温度下使硅烷(乙硅烷、丙硅烷等)流过钛层来提供用于硅化钛层的硅。硅化钛层可以帮助限制跨硅化钛‑硅锗界面可能发生的钛和锗相互扩散的量，这可以减少(或消除)在随后的退火和其他高温工艺期间SiGe层中空隙的形成。也可以经由硼和锗注入对SiGe层的其上形成钛层的表面进行预先非晶化，以进一步改善SiGe层抗微空隙形成的鲁棒性。所得到的钛触点是热稳定的，因为它们的电阻在经受下游退火和高温处理过程之后基本上保持不变。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116344336 A
(43)申请公布日 2023.06.27
(21)申请号 202211480298.1 H01L 29/78 (2006.01)
(22)申请日 2022.11.
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