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本发明公开了一种原子尺度精度调控硒化锗单晶原子层厚度的方法,即金表面辅助剥离少层或单层GeSe,然后金表面诱导少层GeSe退化调控层数的方法。这种方法的特点是:1.通过金薄膜辅助获得大面积的少层或者单层GeSe薄片,依托于现有的GeSe单晶制备或CVT法GeSe薄膜制备,其产率接近于GeSe制备工艺水平;2.通过控制退化时间来精确调控需要的GeSe层数,对剩下的少层或单层GeSe无结构性破坏;3.调控获得的GeSe样品同样可通过刻蚀衬底然后转移,实现进一步的器件应用。通过这种方法可以精确获得所需
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113652744 B
(45)授权公告日 2022.06.14
(21)申请号 202110916531.5 C30B 29/46 (2006.01)
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