1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

一种改善关断特性的MOSFET芯片制造工艺.pdfVIP

  • 3
  • 0
  • 约1.29万字
  • 约 16页
  • 2023-06-28 发布于四川
  • 举报

一种改善关断特性的MOSFET芯片制造工艺.pdf

    本发明公开了一种改善关断特性的MOSFET芯片制造工艺，在轻掺杂多晶硅的两端打孔，获得两个电阻接触孔，所述电阻接触孔依次穿过介质层及轻掺杂多晶硅，并在沟槽区域打孔，获得一个源区接触孔，所述源区接触孔依次穿过介质层、隔离氧化层、栅氧化层、源区及体区，在所述电阻接触孔内成型第一金属连线和第二金属连线，所述源区接触孔内成型第三金属连线，将第一金属连线与第三金属连线连接，第二金属连线与栅极连接。本发明在芯片内部集成了多晶硅电阻，电阻两端分别连接于栅极和源极，可保证在关断时存储于栅极寄生电容中的电荷通过此

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113658949 B (45)授权公告日 2022.06.14 (21)申请号 202110927490.X H01L 21/822 (2006.01)

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >