一种直插式的高集成度功率模块的封装结构.pdfVIP

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2023-06-28 发布于四川
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一种直插式的高集成度功率模块的封装结构.pdf

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本发明公开了一种直插式的高集成度功率模块的封装结构，第一金属陶瓷绝缘导电基板与第二金属陶瓷绝缘导电基板之间设置有第一电容、第一半导体芯片、第二半导体芯片、第一铜片、第二铜片、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、驱动芯片、自举二极管、第二电容及第三电容；第一电容、第一半导体芯片、第二半导体芯片、第一铜片及第二铜片依次设置于第一金属陶瓷绝缘导电基板的一侧，自举二极管、第二电容、驱动芯片及第三电容设置于第一金属陶瓷绝缘导电基板的另一侧，第一电阻、第二电阻、第三电阻及第四电阻依次设置于第一金属陶瓷绝

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116344518 A (43)申请公布日 2023.06.27 (21)申请号 202310182441.7 H01L 23/49 (2006.01)