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- 2023-06-28 发布于四川
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本公开提供了一种用于提高外延片波长一致性的石墨基板,属于半导体技术领域。所述石墨基板为多棱柱结构,所述石墨基板的外周壁具有多个棱柱面,且任意相邻的两个所述棱柱面的连接处均具有一个V型槽,所述V型槽沿所述石墨基板的径向向内凹陷,且所述V型槽长度等于所述石墨基板的轴向长度。在本公开提供的石墨基板上生长外延片,可以使得外延片各个区域的发光波长一致,从而可以提高外延片的片内均匀性,保证边缘良率。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113652742 B
(45)授权公告日 2022.06.17
(21)申请号 202110693598.7 C30B 28/14 (2006.01)
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