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- 2023-06-28 发布于四川
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本发明涉及晶体生长技术领域，具体而言，涉及一种晶体生长装置和晶体生长方法。晶体生长装置包括坩埚盖和坩埚体；坩埚体包括相互配合的侧壁和底壁；沿坩埚体的高度，侧壁包括多个壁体和多个连接段，壁体和连接段依次错开连接；坩埚盖、底壁和壁体均由第一石墨材质制成，连接段由第二石墨材质制成；且第一石墨材质的密度大于第二石墨材质的密度。如此能够提高坩埚内部的N2含量，以增加原料及生长器件中吸附更多的N2，加大参与晶体生长反应的N2含量，从而减小碳化硅晶片的电阻率。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113652751 B
(45)授权公告日 2022.04.19
(21)申请号 202110952925.6 审查员 顾梦凡
(22)申请日 2021.08.19
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