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一种SRAM读写控制方法及行缓冲控制器.pdfVIP

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  • 2023-06-28 发布于四川
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一种SRAM读写控制方法及行缓冲控制器.pdf

    本发明适用于SOC技术领域，提供了一种SRAM读写控制方法及行缓冲控制器，所述方法包括：在策略寄存器中设定访问域和读写策略；通过分配器监控来自存储访问控制器的SRAM读写地址，并根据所述SRAM读写地址发出数据读写指令；通过行缓冲寄存器组根据数据读写指令调整行替换策略，并根据行替换策略进行数据的读出或/和写入操作。本发明通过一种新的行缓冲控制器降低了SRAM读写过程中产生的动态功耗。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113641626 B (45)授权公告日 2022.02.18 (21)申请号 202111207496.6 (56)对比文件 (22)申请日 2021.10.18

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