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一种NMO氧化物半导体材料及其制备方法和应用.pdf

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本发明提供一种NMO氧化物半导体材料及其制备方法和应用，该材料包括NiO和掺杂金属氧化物成分，化学式为Ni(1‑x)MxO(1±δ)，其中，x为NiO晶格中Ni原子被掺杂金属原子取代的比例，δ为NiO晶格中氧含量的调节参数，0

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116332623 A (43)申请公布日 2023.06.27 (21)申请号 202310306962.9 C23C 14/08 (2006.01) (22)申请日 2023.03.

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