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一种用于物理气相传输法生长晶体的坩埚系统及其使用方法.pdfVIP

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  • 2023-06-28 发布于四川
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一种用于物理气相传输法生长晶体的坩埚系统及其使用方法.pdf

    本发明公开了一种用于物理气相传输法生长晶体的坩埚系统及其使用方法，通过在坩埚中放置隔离片，将坩埚本体和坩埚盖围成的内部空间即晶体生长腔体分隔为独立的两部分，其中所述隔离片上表面与坩埚盖之间为隔离室，隔离片下表面与坩埚底之间为晶体生长室。并结合PVT法的工艺流程，利用工艺流程中的抽真空、充气以及原料升华的气相传输，将生长室密封起来。本发明的坩埚系统的使用，大幅减少了原料的泄露以及开放式坩埚中的双向污染，封闭的状态设计也同时创造了更加稳定的晶体生长环境，提高了晶体质量、降低了生产成本。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113652738 B (45)授权公告日 2022.08.26 (21)申请号 202110847221.2 (51)Int.Cl.

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