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本发明公开了一种存储器,包括存储区、失效记录区和修复电路;存储区设置有冗余位元;失效记录区设置有多态位元,多态位元用于记录存储区中失效位元的位置信息;修复电路用于根据位置信息通过冗余位元对失效位元进行修复。由于多态位元代表三进制或者其他进制,使用多态位元存储信息相较于传统的二级制可以存储更多的信息,从而在修复时所用修复位少于传统修复方式,修复效率高,消耗资源少,同时在芯片工作过程中,也可进行即时修复,提高芯片可靠性。本发明还提供了一种存储器修复方法,同样具有上述有益效果。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116343883 A
(43)申请公布日 2023.06.27
(21)申请号 202111582500.7
(22)申请日 2021.12.22
(71)申请人 浙江驰拓科技有限公司
地址 31
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