具有复合保护层的分裂栅功率半导体功率器件及制备方法.pdfVIP

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2023-06-29 发布于四川
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具有复合保护层的分裂栅功率半导体功率器件及制备方法.pdf

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本发明公开了具有复合保护层的分裂栅功率半导体功率器件及制备方法，涉及半导体功率器件制备技术领域，具体为具有复合保护层的分裂栅功率半导体功率器件及制备方法，包括保护机构、芯片体和主针脚，所述保护机构的内部设有基片，所述导热片的下端前方设有橡胶垫块，所述基片的后端内部设有沟槽。该具有复合保护层的分裂栅功率半导体功率器件及制备方法，利用内衬保护膜可以保持保护机构与基片外部表面之间的贴合程度，而保护机构也可以根据使用者的需要进行拆卸操作，静电层和绝缘层可以对基片的外部表面进行静电防护作用，避免半导体在运

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113690199 A (43)申请公布日 2021.11.23 (21)申请号 202110950001.2 (22)申请日 2021.08.18 (71)申请人厦门芯一代集成电路有限公司